単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029566
Publication number (International publication number)：1994045266
Application date： Jan. 04, 1993
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置内のウエーハ上のプロセスを均一にするために、温度分布を故意にゆがめることなく、ガスの流れパターンや反応物の物質輸送分布を実時間で調整し制御できるガス注入器を開示する。【構成】単一ウエーハ半導体処理装置(10)用のプログラム可能な多ゾーン流体注入器(12)であって、複数のオリフィス(22,24,30)を備え、多数の別個のゾーン(24,28,32)に分割される。これらのゾーンは通路(34,38,42)と導管(36,40,44)によってプロセス流体源に接続される。個別の各導管(36,40,44)は少なくとも1個の流量制御装置を備え、前記各ゾーンへのプロセス流体の量と比率を独立に制御する。前記流量制御装置は入力信号に応答して、前記オリフィスからの流体流量を前記プロセス室(10)内で所定の流れパターンに保持することができる。

Claim (excerpt)：

多ゾーンガス注入器であって、ウエーハに隣接して設けられるシャワーヘッド板と、前記シャワーヘッド板を貫通する複数のオリフィスと、前記オリフィスに結台される本体部材内の複数の通路とを持ち、かつ前記各通路毎に入口を持つ本体部材と前記本体部材の前記各入口に接続され、かつ少なくとも1つのプロセス流体源に接続される入力導管と、を備える、半導体処理装置用の多ゾーンガス注入器

IPC (6)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23F 4/00 , C30B 25/14 , H01L 21/302 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭56-087328
特開昭57-096666
特開平2-187018

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