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J-GLOBAL ID：200903017744756907
半導体デバイスの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995340508
Publication number (International publication number)：1997181349
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 円形ウエハを用いた、ヘテロ接合を有する半導体デバイスの製造方法において、製造工程中に起こるウエハ割れをなくして、歩留りを向上させることを課題とする。【解決手段】 円形のウエハ30上にn-InPバッファ層1a、InGaAs光吸収層2、n-InP窓層3、n-InGaAsコンタクト層4を結晶成長させた後、ウエハ30の外周近傍領域31上の上記バッファ層1a、光吸収層2、窓層3、コンタクト層4をエッチングで除去するようにした。
Claim (excerpt)：
半導体材料からなる平面形状が円形状のウエハ上に、半導体層を結晶成長させて、ヘテロ接合を有する半導体積層構造を形成する工程と、該結晶成長工程の後、上記ウエハの外周近傍領域上に形成された上記半導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (7)：
H01L 31/10
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 29/68
, H01S 3/18
, H01L 29/88
, H01L 29/861
H01L 31/10 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, H01L 29/68
, H01S 3/18
, H01L 29/88 S
, H01L 29/91 H
