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J-GLOBAL ID：200903017748401364

アルミナ基板の製造方法

Inventor： 上田 卓実 ,  槙尾 圭造 ,  石原 政行
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 川瀬 幹夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105161
Publication number (International publication number)：1993301760
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 従来の純度96重量%のアルミナ基板と同等の誘電特性及び熱伝導率であって、且つ、アルミナ基板の表面に厚膜法等により導体を形成した際の導体の密着強度が優れたものとなり、かつ、表面粗度が小さいアルミナ基板を製造する方法を提供する。【構成】 アルミナ粉末とSiO2 及びMgOを含有する焼結助剤とを混合し、シート成形した後、焼成して純度96重量%のアルミナ基板を製造するアルミナ基板の製造方法において、前記アルミナ粉末として平均粒径が0.8〜1.0μmのアルミナ粉末を使用し、前記焼結助剤として焼成後の組成がSiO2 として64〜73重量%、MgOとして25〜36重量%、CaOとして0〜5重量%である焼結助剤を使用し、1450〜1550°Cの温度で焼成するアルミナ基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

アルミナ粉末とSiO2 及びMgOを含有する焼結助剤とを混合し、シート成形した後、焼成して純度96重量%のアルミナ基板を製造するアルミナ基板の製造方法において、前記アルミナ粉末として平均粒径が0.8〜1.0μmのアルミナ粉末を使用し、前記焼結助剤として焼成後の組成がSiO2 として64〜73重量%、MgOとして25〜36重量%、CaOとして0〜5重量%である焼結助剤を使用し、1450〜1550°Cの温度で焼成することを特徴とするアルミナ基板の製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/10 ,  H05K 1/03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-085459
  
• 特開平3-193656