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J-GLOBAL ID：200903017750055244

密度変調電子銃とこれを用いたマイクロ波管

Inventor： 巻島 秀男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137061
Publication number (International publication number)：1994349414
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】高い周波数まで動作し、変調感度が高く、陽極に衝突する電子が少なく、変調係数の高い密度変調電子ビームを形成する。さらに、この電子ビームを利用して効率が極めて高く、構造が簡単で、小形のマイクロ波管を実現する。【構成】エミッタ先端が制御電極よりも上に突き出た構造の電界放出冷陰極を入力RF信号の入力キャビティの一部とし、陰極と対面する陽極を同じ入力キャビティの一部とし、制御電極-エミッタ間には閾値付近あるいはこれ以下の電圧を印加して、エミッション電流をRF入力信号で密度変調する。陽極はメッシュ状に加工し、このメッシュと対応するように冷陰極に電子を放出させない部分を形成する。さらに、この電子を放出しない部分の制御電極の上に絶縁層を介して第2の制御電極を構成し、電子ビームを集束させる電圧を加える。

Claim (excerpt)：

導電性を持つ基板あるいは絶縁性材料上に導電性層を積層した基板と、前記基板の上に形成された先端を先鋭化した電子放出電極と、前記電子放出電極とその付近を除いて前記基板上に形成した絶縁層と、前記絶縁層の上に積層し前記電極を取り囲む開口を持つ制御電極とよりなる冷陰極と、入力信号周波数で共振し、内壁の一部が前記陰極と対面し電子ビーム透過用の開口を有する前記制御電極とは直流的に分離した陽極とされている空胴とで構成され、前記電子放出電極の先端を前記制御電極よりも前記基板から離した構造としたことを特徴とする密度変調電子銃。