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J-GLOBAL ID：200903017760958420

MOS型半導体装置におけるゲート酸化膜の製造方法

Inventor： 川端 尚樹
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092209
Publication number (International publication number)：1994283712
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パイロジェニック酸化法において、TDDB特性の優れたゲート酸化膜を形成するための最適な酸素分圧を明かにする。【構成】 酸化炉内での水蒸気分圧が0.1〜0.3気圧となるように、酸化炉入口にあるバーナに供給する水素ガスと酸素ガスの流量を調節する。

Claim (excerpt)：

入口に水素を燃焼させて水を生成するバーナが設けられている酸化炉内に半導体ウエハを収容し、前記バーナに水素ガスと酸素ガスを供給し、酸素中に水蒸気を含むガスとして前記酸化炉に供給して前記半導体ウエハにゲート酸化膜を形成する方法において、前記酸化炉内での水蒸気分圧が0.1〜0.3気圧となるように前記バーナに供給する水素ガスと酸素ガスの流量を調節することを特徴とするゲート酸化膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316