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J-GLOBAL ID：200903017791273078

光電変換装置

Inventor： 岡本 浩二 ,  奥野 哲啓 ,  中嶋 一孝 ,  横沢 雄二
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991175019
Publication number (International publication number)：1993021821
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光発生キャリアの表面再結合と光発生キャリアの集電に伴う抵抗を低減し、高効率化を図る。【構成】 N型拡散層1上に約10〜20Åの厚さのシリコン酸化膜2を形成し、該シリコン酸化膜2上にフッ素をドープした低抵抗のSnO2膜3を形成し、該SnO2膜3上にAg表面電極5を形成する。

Claim (excerpt)：

光電変換部となる半導体層の受光面側表面にシリコン酸化膜が形成され、該シリコン酸化膜上に透明導電膜が形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-130483
  
• 特開昭55-121687
  
• 特開昭56-004287