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J-GLOBAL ID:200903017793429873
粒状磁気抵抗膜及び形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
合田 潔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994134650
Publication number (International publication number):1995058375
Application date: Jun. 16, 1994
Publication date: Mar. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】 強磁性物質の分離粒子が非磁性導電マトリックスに埋込まれた単層不連続磁性膜を提供する。【構成】 ヘテロ薄膜構造は、絶縁基板上に被着され、非磁性導電物質の層で覆われた強磁性物質の不連続層を含み、飽和磁界にて350エルステッドのオーダの巨大磁気抵抗を示す。強磁性物質の層が、高真空蒸着法により、加熱された絶縁基板上に被着され、分離した強磁性粒子の層が形成され、非磁性導電物質で覆われて、非磁性導電マトリックスに埋込まれた複数の強磁性粒子が形成される。強磁性物質の非磁性物質は個別に被着されるので、この2つの物質を混合不能とする必要はなく、相分離を誘発するための後のアニール処理も必要ない。
Claim (excerpt):
粒状磁気抵抗膜を形成する方法であって、非導電基板上に強磁性物質の不連続層を形成するステップと、非磁性導電物質の層を上記強磁性物質の不連続層上に被着することによって、非磁性導電物質のマトリックスに複数の強磁性粒子が埋込まれたヘテロ膜を形成するステップと、を含む方法。
IPC (4):
H01L 43/08
, C23C 14/14
, G01R 33/09
, G11B 5/39
Patent cited by the Patent:
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