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J-GLOBAL ID：200903017793488268

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992043783
Publication number (International publication number)：1993160081
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジスト・マスクを使用しないドライエッチングを、工程数の増加やウェハの表面段差の増大を招くことなく実現する。【構成】 従来からゲート電極材料やAl配線材料の表面に形成されている窒素化合物系の薄い反射防止膜をエッチング・マスクとして使用可能とするために、イオウ系化合物を含むエッチング・ガスを用いる。たとえば、TiON反射防止膜パターン6aをマスクとし、S2 F2 /H2 混合ガスを用いてWポリサイド膜5をエッチングすると、該TiON反射防止膜パターン6a中のN原子とS2 F2 から放出されたS原子とが結合してポリチアジル(SN)x が生成し、マスク表面が保護される。パターン側壁部はSで保護される。つまり、対マスク選択比の高い条件で異方性エッチングが可能となる。レジスト材料由来の炭素による汚染が防止できる。

Claim (excerpt)：

被エッチング材料層の上に窒素を構成元素として含む窒素系化合物膜を選択的に形成する工程と、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを生成し得るイオウ系化合物を含むエッチング・ガスを用い、前記窒素系化合物膜をマスクとして前記被エッチング材料層をエッチングする工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-224240
  
• 特開平2-129917
  
• 特開平3-273624