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J-GLOBAL ID：200903017797312415

リッジ導波路型半導体レーザ素子

Inventor： 大久保 典雄 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122730
Publication number (International publication number)：1993291703
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p型基板を用いるリッジ導波路型半導体レーザ素子のしきい値電流を低下させ、発光効率を向上させる。【構成】 p型半導体基板11上に形成された活性層15上に、n型の第1上部クラッド層17およびリッジメサからなるn型の第2上部クラッド層18を順次積層し、前記第1上部クラッド層17の厚さを4000Å以下にし、かつ、第1上部クラッド層17のキャリア濃度とその移動度の積を2×1020cm-1V-1s-1以下にする。

Claim (excerpt)：

p型半導体基板上に形成された活性層上に、n型の第1上部クラッド層およびリッジメサからなるn型の第2上部クラッド層が順次積層され、前記第1上部クラッド層の厚さが4000Å以下で、かつ、第1上部クラッド層のキャリア濃度とその移動度の積が2×1020cm-1V-1s-1以下であることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12