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J-GLOBAL ID：200903017798379998

パターン形成方法および形成装置

Inventor： 日下部 勝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995292889
Publication number (International publication number)：1997134870
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンのうち所望のものをウエハ基板上に転写する場合、ウエハの利用率を低下させることなく、かつウエハ基板内のチップ取得数を増加させることが可能な技術を提供する。【解決手段】 複数品種のマスクパターン4(4a乃至4d)のうち、所望のマスクパターン4bを除いて不所望のマスクパターン4a、4c、4dを機械的動作精度の高いマスク遮蔽手段17によって遮蔽した状態で、所望のマスクパターン4bをウエハ基板6上に転写する。マスク遮蔽手段17を構成しているブラインド基板20とマスク基板3との間の距離を従来よりも小さくすることができるため、投影露光時の半影ボケを減少することができるようになる。これによって、ウエハ基板6上に設けるスクライブラインの幅を狭くできるので、ウエハ基板6内のチップ取得数が増加する。

Claim (excerpt)：

マスク基板上に描かれている複数品種のマスクパターンを投影光学系を介してウエハ基板上に転写するパターン形成方法であって、前記複数品種のマスクパターンが各々異なるサイズで描かれているマスク基板を用い、前記複数品種のマスクパターンのうち、所望以外のマスクパターンを前記マスク基板に近接するように配置したマスク遮蔽手段により遮蔽した状態で、所望のマスクパターンのみをウエハ基板上に転写することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (6)：

H01L 21/30 514 C ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 E ,  H01L 21/30 515 F