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J-GLOBAL ID：200903017804735106

半導体レーザ装置

Inventor： 中西 秀行 ,  ▲吉▼川 昭男 ,  浜田 健 ,  清水 裕一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358945
Publication number (International publication number)：1999274654
Application date： Nov. 26, 1990
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 (100)面のシリコン基板に斜面が(111)面により形成される溝を形成し、一方の斜面を半導体レーザチップからの出射光を反射させる反射ミラー面とした場合、シリコン基板主面の垂直方向より傾くのを防ぐとともに、レーザ出力検出用フォトダイオードの受光効率を高める。【解決手段】 <110>方向を軸として5〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板20に(111)面により形成される溝を形成し、傾きが45°に近い面を反射ミラー面21とし、この面に対向する側のシリコン基板の主面33の一部を周囲の主面32より低くして凹部を形成し、この反射ミラー面21に対向する面の上端稜線に対して出力面が平行になるように半導体レーザチップ13を固定するとともに、半導体レーザチップ13の後方の段差部にレーザ出力検出用フォトダイオードを形成する。

Claim (excerpt)：

<110>方向を軸として5°〜15°のオフアングルを有する(100)面のシリコン基板の上に、両側の斜面が(111)面により構成される溝が形成され、同溝の斜面のうち前記シリコン基板表面に対する傾きが45°に近い面をレーザ光を反射させる反射ミラー面とし、同反射ミラー面に対向する側の前記シリコン基板の主面の一部を周囲の主面より低くして凹部が形成され、前記反射ミラー面に対向する面の上端稜線に対して半導体レーザチップの前方端面がほぼ平行になるように前記半導体レーザチップが前記シリコン基板の凹部に固定されるとともに、半導体レーザチップが固定されたシリコン基板上の前記半導体レーザチップの後方の凹部の段差部にレーザ出力光検出用フォトダイオードが形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 612 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135

FI (3)：

H01S 3/18 612 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 Z