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J-GLOBAL ID：200903017805761003
ホットエレクトロン・トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007510882
Publication number (International publication number)：2007535178
Application date： Apr. 25, 2005
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
ホットエレクトロン・トランジスタはエミッタ電極、ベース電極及びコレクタ電極と、エミッタ電極とベース電極との間に配置され、そこでの電子の輸送層として機能する第1のトンネル構造とを有する。第1のトンネル構造は、電子の輸送がトンネリングによる輸送を含むように、少なくとも第1のアモルファス絶縁体層、及び別の第2の絶縁体層を含む。トランジスタはさらに、ベース電極とコレクタ電極との間に配置された第2のトンネル構造を含む。第2のトンネル構造は電子の少なくとも一部の、ベース電極とコレクタ電極との間の、弾道輸送による輸送層として機能し、その結果、電子の一部はコレクタ電極で収集される。薄膜トランジスタ内の界面での電子反射を低減する関連方法もまた開示される。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つの入力信号を受けるように適応されたホットエレクトロン・トランジスタであって:
エミッタ電極;
前記エミッタ電極から隔てられたベース電極であり、前記入力信号の少なくとも一部が前記エミッタ電極と該ベース電極との間に与えられ、それにより電子が前記エミッタ電極から該ベース電極に向けて放出されるところのベース電極;
前記エミッタ電極と前記ベース電極との間に配置され、前記エミッタ電極と前記ベース電極との間の且つそれらへの電子輸送層として機能するように構成された第1のトンネル構造であり、電子の輸送がトンネリングによる輸送を少なくとも部分的に含むように、少なくとも第1のアモルファス絶縁体層、及び前記第1のアモルファス絶縁体層に直接的に隣接して配置され、且つそれと協働するように構成された第2の絶縁体層を含む第1のトンネル構造;
前記ベース電極から隔てられたコレクタ電極;及び
前記ベース電極と前記コレクタ電極との間に配置され、前記エミッタ電極から放出された電子の少なくとも一部の、前記ベース電極と前記コレクタ電極との間の、弾道輸送による輸送層として機能するように構成された第2のトンネル構造であり、それにより前記電子の前記一部が前記コレクタ電極で収集可能にされるところの第2のトンネル構造;
を有するトランジスタ。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
5F003AZ03
, 5F003BA00
, 5F003BB03
, 5F003BC04
, 5F003BH05
, 5F003BM00
, 5F003BN06
, 5F003BN07
, 5F003BP12
, 5F003BP41
, 5F003BP95
