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J-GLOBAL ID:200903017819740432

ウエハ表面の平坦化方法及びその方法に用いる化学的機械研磨装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993128306
Publication number (International publication number):1994318583
Application date: Apr. 30, 1993
Publication date: Nov. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 化学的機械研磨によるウエハ表面の平坦化をマスプロセスで行えるようにし、半導体製品の歩留りと信頼性の向上及び生産性の向上を図る。【構成】 配線12の形成によって表面に段差を有するウエハ1の上面に終点検出成分を含む下層絶縁膜13を所定膜厚で形成し、さらに下層絶縁膜13の上面に研磨層15を形成し、研磨剤を含むスラリーと研磨布とを用いた化学的機械研磨法によって研磨層15を研磨してウエハ1表面を平坦化する際に、研磨によって生じるスラリー廃液を研磨の進行に沿って随時分析し、研磨層15に対して下地層13にのみ含まれる終点検出成分のスラリー廃液中への溶出を検出する。そして、上記終点検出成分の溶出を検出した時点で研磨を終了する。
Claim (excerpt):
配線の形成によって表面に段差を有するウエハの上面に絶縁膜からなる研磨層を形成し、研磨剤を含むスラリーと研磨布とを用いた化学的機械研磨法によって前記研磨層を研磨するウエハ表面の平坦化方法であって、前記研磨層を研磨すると共に、研磨によって生じるスラリー廃液を研磨の進行に沿って随時分析し、前記研磨層に対して当該研磨層の下地層にのみ含まれる成分を終点検出成分として当該終点検出成分のスラリー廃液中への溶出を検出する工程と、前記終点検出成分のスラリー廃液への溶出を検出した時点で研磨を終了する工程とを有することを特徴とするウエハ表面の平坦化方法。
IPC (3):
H01L 21/304 321 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/3205

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