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J-GLOBAL ID：200903017826711200

センサシステム用半導体装置

Inventor：
山下 春造

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鈴木 敬

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在塚 俊之

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宮崎 祐行

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中野 定樹

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Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

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Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002185450
Publication number (International publication number)：2004024551
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】小型軽量で電池交換不要なセンサシステム用半導体装置を提供する。【解決手段】センサ(TD1,AS1,PD1,GS1)、A/D変換回路(AD1)、マイクロプロセッサ(CPU1)、メモリ(MEM1)、送信回路(RF1)、及び、電力発生装置(CM1)を備えたセンサチップ(SCHIP1)を構成する。センサ、A/D変換回路、マイクロプロセッサ、メモリ、及び、送信回路は、一方の基板面(SIDE1)上に形成し、また、電力発生装置は、前記基板面とは逆の基板面(SIDE2)上に形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
計測の対象となる物理量を検知するセンサと、 前記センサにより検知した信号を増幅してディジタル信号に変換するA/D変換回路と、 前記ディジタル信号を処理するマイクロプロセッサと、 前記センサにより得た情報を格納するメモリと、 前記マイクロプロセッサにより処理した信号を外部へ送信する送信回路と、 前記センサ、前記A/D変換回路、前記マイクロプロセッサ、前記メモリ、及び、前記送信回路に、電力を供給するための電力発生装置とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (11)：
A61B5/00 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/0245 ,  A61B5/11 ,  A61B5/145 ,  G01K7/01 ,  G01N33/483 ,  G01N33/50 ,  G01P15/125 ,  G08C15/00 ,  G08C17/00
FI (12)：
A61B5/00 102C ,  A61B5/00 101E ,  G01N33/483 C ,  G01N33/50 P ,  G01P15/125 Z ,  G08C15/00 E ,  G01K7/00 391Z ,  G08C17/00 A ,  A61B5/02 F ,  A61B5/02 321B ,  A61B5/10 310A ,  A61B5/14 310
F-Term (41)：
2F073AA02 ,  2F073AA19 ,  2F073AB01 ,  2F073BB01 ,  2F073BC02 ,  2F073CC01 ,  2F073CC12 ,  2F073EE11 ,  2F073EE13 ,  2F073GG02 ,  2F073GG03 ,  2F073GG04 ,  2F073GG07 ,  2F073GG09 ,  2G045AA40 ,  2G045BB14 ,  2G045BB24 ,  2G045BB41 ,  2G045DA13 ,  2G045DA14 ,  2G045FA27 ,  2G045GC10 ,  4C017AA10 ,  4C017AA12 ,  4C017AA16 ,  4C017AB10 ,  4C017AC26 ,  4C017BC11 ,  4C017FF18 ,  4C017FF30 ,  4C038KK01 ,  4C038KL05 ,  4C038KL07 ,  4C038KM00 ,  4C038KX01 ,  4C038KX02 ,  4C038KY03 ,  4C038KY04 ,  4C038VA04 ,  4C038VB40 ,  4C038VC20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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