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J-GLOBAL ID：200903017831328652

水素吸蔵材料

Inventor： 小島 由継 ,  鈴木 伸明
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 上野 登
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999285246
Publication number (International publication number)：2001106516
Application date： Oct. 06, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 体積当たりの水素吸蔵量の大きい水素吸蔵材料を提供すること。【解決手段】 炭化水素の炭素結晶子を含む層状構造の非晶質炭素の比表面積が400m2/g以下であって、水素原子数と炭素原子数との比H/Cが0.05以上0.45以下の範囲にあり、この非晶質炭素の炭素結晶子層間もしくは結晶子末端間に水素を吸蔵させたもので、非晶質炭素の(002)面の層間距離d002が0.4nm以上であること、高分子化合物、天然高分子、石油または石炭から得られる生コークスを500°C以上900°C以下で熱処理して得られた非晶質炭素を用いること、その熱処理は不活性雰囲気下で行われたものであることなどが体積当たりの水素吸蔵量を増大させる上で望ましい。

Claim (excerpt)：

炭化水素の炭素結晶子を含む層状構造の非晶質炭素の比表面積が400m2/g以下であって、水素原子数と炭素原子数との比H/Cが0.05以上0.45以下の範囲にあり、この非晶質炭素の炭素結晶子層間もしくは結晶子末端間に水素を吸蔵させてなることを特徴とする水素吸蔵材料。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 3/00 ,  H01M 8/04

FI (3)：

C01B 31/02 101 B ,  C01B 3/00 B ,  H01M 8/04 J

F-Term (9)：

4G040AA36 ,  4G040AA42 ,  4G046CA04 ,  4G046CA06 ,  4G046CB02 ,  4G046CB08 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  5H027BA13