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J-GLOBAL ID：200903017846746558

パワーデバイスとその製造方法

Inventor： バリガ,バントヴァル・ジェヤント
Applicant, Patent owner： シリコン・セミコンダクター・コーポレイション
Agent (3)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002581588
Publication number (International publication number)：2004537162
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：

パワーMOSFET10は、その基板内にドリフト領域102とこのドリフト領域とその基板の第1表面102aとの間に拡がる遷移領域130とを有する半導体基板を含む。遷移領域130は、基板の第1表面102aから第1の深さのところでピークに達する縦方向に後退したドーピング分布をその中に有する。遷移領域130を空乏化するために、第1及び第2のベース遮蔽領域128がそれぞれ第1及び第2のベース領域126下に更に設けられる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のドリフト領域をその中に有する半導体基板と、 前記半導体基板の第1表面上に拡がる絶縁ゲート電極と、 前記半導体基板内に拡がっており、前記絶縁ゲート電極の第1端部から第1の横方向の拡がりを有する、第2導電型の第1ベース遮蔽領域と、 前記第1ベース遮蔽領域と前記第1表面との間に拡がっており、前記絶縁ゲート電極の第1端部から第1の横方向の拡がりに満たない第2の横方向の拡がりを有する、第2導電型の第1ベース領域と、 前記第1ベース領域内にある第1導電型の第1ソース領域と、 前記第1ソース領域と前記第1ベース領域と前記第1ベース遮蔽領域とに電気的に接続されたソース電極と、 前記ドリフト領域と前記第1表面にあって前記絶縁ゲート電極に対向して拡がっている部分との間に拡がっており、前記第1ベース領域及び前記第1ベース遮蔽領域と整流接合を形成し、縦方向に後退した第1の導電型ドーピング分布をその中に有する第1導電型の遷移領域と を含んでなる縦形パワーデバイス。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (4)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652R