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J-GLOBAL ID：200903017874552777

単結晶の製造方法

Inventor： 加納 学 ,  田仲 孝憲 ,  佐々木 慶悦 ,  大谷 聡一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 大日方 富雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340223
Publication number (International publication number)：1993148081
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【構成】 液体封止チョクラルスキー法により単結晶を成長する単結晶製造方法において、上記引上げ炉の側壁と上壁および底壁に対応してそれぞれ冷却手段を設けるとともに、引上げ炉内には上記るつぼ底部近傍の温度を含む炉内温度環境を検出する温度検出手段を設け、少なくとも上記底壁に対応した冷却手段の冷却力を変化させて、るつぼ内原料融液と引上げ結晶との固液界面が結晶引上げ中において常に下向きに凸状となるよう炉内温度環境を制御するようにした。【効果】 結晶引上げ中ヒータや引上げ炉の側壁と上壁に対応した冷却手段をそれぞれ定常的に作動させるようにしても、引上げ炉の底壁に対応した冷却手段の冷却力を変化させることで原料融液と引上げ結晶との固液界面が引上げ中において常に下向きに凸状となるよう炉内温度を制御することができるようになり、これによって双晶や多結晶の発生を防止して単結晶化率の高い結晶を歩留まり良く育成することができる。

Claim (excerpt)：

るつぼ内に原料を入れて引上げ炉内に配置し、発熱体により加熱して融解させ、その原料融液表面に種結晶を接触させてこれを徐々に引き上げることにより単結晶を成長する単結晶製造装置において、上記引上げ炉の側壁と上壁および底壁に対応してそれぞれ冷却手段を設けるとともに、引上げ炉内には上記るつぼ底部近傍の温度を含む炉内温度環境を検出する温度検出手段を設け、少なくとも上記底壁に対応した冷却手段の冷却力を変化させて、るつぼ内原料融液と引上げ結晶との固液界面が結晶引上げ中において常に下向きに凸状となるよう炉内温度環境を制御するようにしたことを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 15/22 ,  C30B 27/02