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J-GLOBAL ID：200903017887549619

プラズマ処理装置及び方法

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001225564
Publication number (International publication number)：2003037105
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 処理容器内に剥離しにくい絶縁膜を短時間で形成する。【解決手段】 被処理体が配置される処理容器11と、この処理容器11内にマイクロ波励起によりプラズマを生成するプラズマ生成手段30と、処理容器11内に被処理体が搬入されていない状態でプラズマを生成し処理容器11の内部に絶縁膜を堆積させ,処理容器11内に被処理体を搬入しプラズマを生成し被処理体を処理し,処理容器11から被処理体を搬出し処理容器11の内部に堆積した絶縁膜を除去するクリーニングを行うプロセスの制御を行うプロセス制御手段50とを有する。
Claim (excerpt)：
被処理体が配置される処理容器と、この処理容器内にマイクロ波励起によりプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理容器内に前記被処理体が搬入されていない状態でプラズマを生成し前記処理容器の内部に絶縁膜を堆積させ、前記処理容器内に前記被処理体を搬入しプラズマを生成し前記被処理体を処理し、前記処理容器から前記被処理体を搬出し前記処理容器の内部に堆積した絶縁膜を除去するクリーニングを行うプロセスの制御を行うプロセス制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (4)：
H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/302 N
F-Term (31)：
5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004DA17 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB14 ,  5F045CA05 ,  5F045DP04 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EE12 ,  5F045EH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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