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J-GLOBAL ID：200903017888362377

赤外線検知器

Inventor： 内山 靖仁 ,  藤井 俊夫 ,  梶原 信之 ,  西野 弘師 ,  松倉 祐輔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006068172
Publication number (International publication number)：2007184512
Application date： Mar. 13, 2006
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】赤外線検知器に関し、量子ドット埋め込み層の成長温度を量子ドットの成長温度に適した温度にしたままで、暗電流となる電子に対する障壁を高くして暗電流を低減する。【解決手段】量子ドット層2を複数積層した赤外線検知部1の積層方向の端部に、量子井戸構造を有する暗電流低減層4を少なくとも一層以上設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

積層された複数の量子ドット層を有する赤外線検知部と、 前記赤外線検知部の積層方向の端部に設けられ、量子井戸構造を有する少なくとも1層の暗電流低減層と、 を有することを特徴とする赤外線検知器。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02

FI (2)：

H01L31/10 Z ,  G01J1/02 B

F-Term (10)：

2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065CA30 ,  2G065DA20 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049QA16 ,  5F049WA01

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Quantum-Dot Infrared Photodetectors With p-Type-Doped GaAs Barrier Layers"