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J-GLOBAL ID：200903017898420570

堆積膜形成方法および装置

Inventor： 安達 俊男 ,  小金井 昭雄 ,  金井 正博 ,  斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  佐野 政史 ,  林 享 ,  殿垣 雅彦 ,  岡部 正太郎 ,  藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  芳里 直
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056014
Publication number (International publication number)：1994267870
Application date： Mar. 16, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】?@放電容器外の部材への膜付着が軽減されてメンテナンス間隔を長期化でき、?A放電容器からの排気コンダクタンスが大きくかつマイクロ波の漏洩が少なく、エネルギーの利用効率よく放電容器内にプラズマを生起でき、?B電気特性に優れた大面積のIII-V族化合物半導体膜を比較的低温で大量生産できるようにする。【構成】?@放電容器105と基体107とで放電空間を形成し、基体107に対して正となるように放電容器105の少なくとも一部分に直流電圧を印加しながら成膜を行なう。?A放電容器に設けられる排気用の開口にルーバーを取り付ける。あるいは?BIII-V族半導体の原料ガスを導入しながら、50mTorr以下で、原料ガスを100%分解するのに必要なものより小さなマイクロ波エネルギーを作用させ、同時に作用させたマイクロ波エネルギーよりも大きい高周波エネルギーを原料ガスに作用させる。

Claim (excerpt)：

真空容器内に保持された基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記真空容器内に設けられ導電性部材からなる放電容器と前記基体とによって、マイクロ波エネルギーが導入される放電空間を形成し、前記基体に対して前記放電容器が正となるように前記放電容器の少なくとも一部分に直流電圧を印加しながら、前記基体上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/22 ,  C23C 16/50