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J-GLOBAL ID：200903017915894971
セラミック円筒内面への被膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314920
Publication number (International publication number)：1994158309
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】この発明は、電界の不均一が解消され、被膜の膜厚分布が均一化されるセラミック円筒内面への被膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】この発明のセラミック円筒内面への被膜形成方法は、円柱状中心電極3を有する円形基台4の周囲に回転自在に配置されたリング状ホルダ-5上にセラミック円筒1を載置し、所定雰囲気中でホルダ-を回転しながら中心電極に負電圧をホルダ-に正電圧をそれぞれ印加してグロ-放電を発生させ、スパッタリング法によりセラミック円筒内面に被膜を形成する場合、セラミック円筒の内側で且つ中心電極の周囲に所定間隔で複数の棒状補助電極7を中心電極に平行に配設することにより、上記の目的を達成することが出来る。
Claim (excerpt)：
円柱状中心電極を有する円形基台の周囲に回転自在に配置されたリング状ホルダ-上にセラミック円筒を載置し、所定雰囲気中で上記ホルダ-を回転しながら上記中心電極に負電圧を上記ホルダ-に正電圧をそれぞれ印加してグロ-放電を発生させ、スパッタリング法により上記セラミック円筒内面に被膜を形成するセラミック円筒内面への被膜形成方法において、上記セラミック円筒の内側で且つ上記中心電極の周囲に所定間隔で複数の棒状補助電極を上記中心電極に平行に配設してなることを特徴とするセラミック円筒内面への被膜形成方法。
IPC (4)：
C23C 14/34
, C04B 41/87
, H01J 9/28
, H01J 23/48
