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J-GLOBAL ID：200903017931963789

サージアブソーバ及びその製造方法

Inventor： 蛸島 武広
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998212190
Publication number (International publication number)：2000048929
Application date： Jul. 28, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 応答速度が速く、続流を生じず、動作開始電圧が低く、大電流を吸収する。部品点数が少なく、多くの工程を要せず安価に製造できる。【解決手段】 一対の端子電極となる2つの導電性素体11,12がこれらの導電性素体の全周囲に配置された絶縁スペーサ14を間に挟んで密閉空間15を有するように接着される。この密閉空間15に臨む一方の導電性素体11の表面に複数のシリコンナノチューブ16cやカーボンナノチューブ17cのような導電性線状体が立設される。これらの導電性線状体の先端と密閉空間15に臨む他方の導電性素体12の表面との間にマイクロギャップgが形成され、密閉空間15が真空である。

Claim (excerpt)：

一対の端子電極となる2つの導電性素体(11,12)が前記導電性素体(11,12)の全周囲に配置された絶縁スペーサ(14)を間に挟んで密閉空間(15)を有するように接着され、前記密閉空間(15)に臨む一方の導電性素体(11)の表面に複数の電界放出用の導電性線状体(16c,17c)が立設され、前記導電性線状体(16)の先端と前記密閉空間(15)に臨む他方の導電性素体(12)の表面との間にマイクロギャップ(g)が形成され、前記密閉空間(15)が真空であることを特徴とするサージアブソーバ。

IPC (5)：

H01T 4/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01T 21/00 ,  H02H 9/06

FI (4)：

H01T 4/12 F ,  H01T 21/00 ,  H02H 9/06 ,  H01L 27/04 H

F-Term (9)：

5F038BH13 ,  5F038CA16 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5G013AA16 ,  5G013BA02 ,  5G013DA03