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J-GLOBAL ID：200903017934487660

半導体装置の製造方法

Inventor： 井上 顕 ,  関根 誠
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994084227
Publication number (International publication number)：1995297136
Application date： Apr. 22, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】接合リーク耐性の劣化とコンタクト抵抗の上昇とを同時に抑制し、狭い口径と高アスペクト比とを有するコンタクトホールの底面へのバリアメタル層の形成を容易する。【構成】コンタクトホール104aを形成し、全面に多結晶シリコン膜105aを成膜する。ECR-PECVD装置にTiCl4 とH2 とを導入してECRプラズマを発生し、多結晶シリコン膜105aをチタンシリサイド膜107aに変換する。さらに、N2 を追加導入し、窒化チタン膜108aを成膜する。

Claim (excerpt)：

表面に逆導電型の拡散層が設けられた一導電型のシリコン基板の上に層間絶縁膜を形成し、該拡散層に達するコンタクトホールを該層間絶縁膜に形成する工程と、前記コンタクトホールの底面に露出した前記拡散層の表面の自然酸化膜を除去し、多結晶もしくは非晶質のシリコン膜を全面に形成する工程と、プラズマ励起化学気相成長装置に前記シリコン基板を挿入し,プラズマを発生して前記シリコン膜の表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記プラズマ励起化学気相成長装置内に4塩化チタンガスと水素ガスとキャリアガスとを導入し,プラズマを発生して前記シリコン膜をチタンシリサイド膜に変換し、さらに窒素ガスを追加導入し,プラズマを発生して該チタンシリサイド膜の表面を覆う窒化チタン膜を形成する工程と、前記窒化チタン膜の表面を覆う金属膜を形成し、該金属膜,該窒化チタン膜および前記チタンシリサイド膜をパターニングすることにより前記コンタクトホールを介して前記拡散層に接続される金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285