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J-GLOBAL ID：200903017936191105

酸化インジウム-金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするITOスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法

Inventor： 中島 光一 ,  館野 諭
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱マテリアルズ
Agent (1)： 小越 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000073685
Publication number (International publication number)：2001262326
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高品質なITO膜の形成に好適な、高密度でかつ焼結体中の錫成分が酸化インジウム中に固溶し、酸化錫の形態で存在していない焼結体を得ることができる酸化インジウム-金属錫混合粉末を低コストで製造でき、この混合粉末を用いて焼結したITOスパッタリングターゲットを用いることにより、スパッタリングによる成膜中にターゲットに発生するノジュールを抑制し、異常放電やパーティクルを減少させることが可能となる。【解決手段】 平均粒径1〜100μmの金属錫粉末と残部が酸化インジウム粉末からなる混合粉末を微粉砕した後、造粒し、これを常温で圧力700〜3000kg/cm2をかけて成型し、この成型体を、酸素雰囲気又は大気中で、1500〜1650°Cで焼結して得たITOスパッタリングターゲット並びにその製造方法。

Claim (excerpt)：

酸化インジウム粉末と平均粒径1〜100μmの金属錫粉末からなることを特徴とする酸化インジウム-金属錫混合粉末。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 13/00 503

FI (3)：

C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 H

F-Term (18)：

4G030AA34 ,  4G030AA61 ,  4G030GA03 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06