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J-GLOBAL ID：200903017940371533
成膜装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995308233
Publication number (International publication number)：1997125251
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： May. 13, 1997
Summary：
【要約】【課題】 例えばリンをドープしたポリシリコン膜をウエハ表面に形成するに当たって、高速に成膜でき、しかもステップカバレジ(埋め込み特性)が良好で、膜厚について高い面内均一性が得られるようにすること。【解決手段】 真空チャンバ2内の圧力を例えば10Torr程度の高い圧力にしてリンドープポリシリコン膜を成膜すれば高速に成膜できる。この場合真空チャンバ2の壁部及びガス供給部51内に冷却用流体を通流してこれらを冷却することにより、反応中間種の高次反応が抑えられるので、ステップカバレジが良好になる。そしてウエハWと壁部との温度差が大きくなるが、ウエハWの周囲に補助加熱部4を設けているためウエハWの周縁からの放熱量が小さく、ウエハWの温度面内均一性が高い。
Claim (excerpt)：
真空チャンバ内の載置部に載置された被処理基板を加熱しながら被処理基板の表面に処理ガスを供給し、処理ガスの反応により生成された反応生成物を被処理基板の表面に堆積して薄膜を生成する成膜装置において、前記被処理基板の側周面を囲むように補助加熱部を設けたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4)：
C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/31
C23C 16/46
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 21/31 B
