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J-GLOBAL ID：200903017951915187
半導体力学量センサ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994244398
Publication number (International publication number)：1996111534
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】段切れが生じにくい可動範囲制限部材を備えた半導体力学量センサとその製造方法を提供することにある。【構成】シリコン基板1の上には梁構造体が設けられ、梁構造体の一部をなす可動電極部はシリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて配置されている。可動電極部は加速度によって変位する。シリコン基板1には固定電極が形成され、固定電極はシリコン基板1に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度による可動電極部との相対的位置の変化により、流れる電流が変化す。梁構造体の一部をなす梁部8にはブリッジ23が設けられ、ブリッジ23は梁部の周囲を囲むようにシリコン基板1から延設され、可動電極部の可動範囲を制限する。ブリッジ23の膜24,25は梁部8の両側においてシリコン基板1の表面に形成され、所定の膜厚t3を有する。膜26は膜24,25を架設している。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に梁構造体が設けられ、力学量の作用に伴う前記梁構造体の一部をなすゲート電極部の変位を、前記半導体基板に形成した不純物拡散層よりなるソース・ドレイン部に流れる電流にて検出するようにした半導体力学量センサであって、前記梁構造体の可動部位の周囲を囲むように前記半導体基板から延設され、前記ゲート電極部の可動範囲を制限する可動範囲制限部材は、前記梁構造体の可動部位の両側において前記半導体基板の表面に形成され、所定の膜厚を有する第1の膜と、前記第1の膜を架設する第2の膜とを備えることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2)：
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