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J-GLOBAL ID：200903017964515609

プラズマ処理装置

Inventor： 川上 聡 ,  川村 剛平 ,  石塚 修一 ,  鈴木 朗
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994314070
Publication number (International publication number)：1996148486
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 成膜の堆積率が良好で、しかもダメージが少なくて製品歩留まりも向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 被処理体Wを載置するための載置台26を内部に有する真空容器8と、この真空容器内に磁界を印加する磁界印加手段22と、前記真空容器内にプラズマ発生用の高周波を印加するプラズマ発生用高周波供給手段16と、発生したプラズマイオンを吸引するために前記載置台に高周波を印加するプラズマ吸引用高周波供給手段32とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ吸引用高周波供給手段の周波数を、前記プラズマイオンの振動周波数以下の周波数に設定する。これにより、プラズマイオンをプラズマ吸引用高周波の周波数に追従させて振動させ、成膜の堆積効率等を向上させる。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置するための載置台を内部に有する真空容器と、この真空容器内に磁界を印加する磁界印加手段と、前記真空容器内にプラズマ発生用の高周波を印加するプラズマ発生用高周波供給手段と、発生したプラズマイオンを吸引するために前記載置台に高周波を印加するプラズマ吸引用高周波供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ吸引用高周波供給手段の周波数を、前記プラズマイオンの振動周波数以下の周波数に設定したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46 ,  G01R 33/64

FI (3)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/302 F ,  G01N 24/14 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-033839
  
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-120396   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-091645