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J-GLOBAL ID：200903017964988434
X線マスク及びX線マスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147087
Publication number (International publication number)：1993343299
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 内部応力が低く、高精度なパターン形成に適したX線吸収体、及びそのようなX線吸収体を成膜する方法を提供する。【構成】 X線マスクのX線吸収体を、タングステンに窒素、もしくはタングステンにチタンと窒素が含有され、かつアモルファス状の構造のものとする。
Claim (excerpt)：
X線吸収体として、タングステンに窒素もしくはタングステンにチタンと窒素が含有され、アモルファス状の構造であることを特徴とするX線マスク。
IPC (4)：
H01L 21/027
, C23C 14/14
, C23C 14/34
, H01L 21/285
Cited by examiner (5)
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