強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001356008
Publication number (International publication number)：2003158247
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】製造プロセスにおいてメモリセルに熱が加えられた場合にあっても、メモリセルの特性劣化や強誘電体層の電極からの剥離を効果的に防止し得る強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法は、メモリセル(21,22,23)を作製する工程と、全面に絶縁層30,31を形成する工程と、絶縁層30,31に熱処理を施す工程と、第2の電極23の上方の絶縁層30,31に開口部32を形成する工程と、配線PLを形成する工程を具備する。

Claim (excerpt)：

(A)基体上に、第1の電極と強誘電体層と第2の電極とから成るメモリセルを作製する工程と、(B)全面に絶縁層を形成する工程と、(C)絶縁層に熱処理を施す工程と、(D)第2の電極の上方の絶縁層に開口部を形成する工程と、(E)開口部内を含む絶縁層上に配線材料層を形成した後、絶縁層上の配線材料層をパターニングして配線を形成する工程、を具備することを特徴とする強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法。

FI (2)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z

F-Term (27)：

5F083AD14 , 5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083FR10 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33

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