Pat
J-GLOBAL ID:200903018004618302
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
篠部 正治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998313841
Publication number (International publication number):2000150388
Application date: Nov. 05, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】貫通転位密度の小さく、発光素子に適したIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層およびAlx Gay In1-x-y N(0 ≦x,y かつ0 ≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜を第1のIII 族窒化物半導体層3aおよび第2のIII 族窒化物半導体層3bの2層としそれらの間にはIV族元素からなる単一歪み層4を介在させる。
Claim (excerpt):
単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層およびAlx Gay In1-x-y N(0 ≦x,y かつ0 ≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜は第1のIII 族窒化物半導体層および第2のIII 族窒化物半導体層からなり、それらの間にはIV族元素からなる単一歪み層が介在していることを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/205
, H01S 3/18 677
F-Term (24):
5F045AA04
, 5F045AA15
, 5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AB05
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC18
, 5F045AD09
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F073CA17
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB09
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