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J-GLOBAL ID：200903018007073277

多結晶シリコン膜及びその生産方法

Inventor： 白井 肇 ,  小林 直之 ,  草間 秀晃
Applicant, Patent owner： 白井 肇 ,  株式会社日本製鋼所
Agent (1)： 前田 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002084739
Publication number (International publication number)：2003282433
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来の多結晶シリコン膜は、レーザアニール後もアモルファス成分を多く含むため、膜としての結晶化度を高めることができなかつた。【解決手段】 ハロゲン系シリコン原料のガス種を用い、基板4の温度を150〜200°Cの範囲としてプラズマCVD法を行ない、基板4に結晶核を有するアモルファスシリコン膜5aを成膜し、その後、300mJ/cm2 以下のエネルギー密度のレーザ光24をレーザアニールによつて照射させる。

Claim (excerpt)：

ハロゲン系シリコン原料のガス種を用い、基板の温度を150〜200°Cの範囲としてプラズマCVD法を行ない、基板に結晶核を有するアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜に、300mJ/cm2 以下のエネルギー密度のレーザ光をレーザアニールによつて照射させ、アモルファス成分が少なく結晶化度の高いシリコン膜としたことを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

F-Term (27)：

4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC05 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045EF02 ,  5F045EH14 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03