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J-GLOBAL ID：200903018009394313
力センサ,温度センサおよび温度・力センサ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山田 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993165269
Publication number (International publication number)：1994288843
Application date： Jul. 05, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 感度が良く、しかも、耐環境性に優れた高信頼性の圧力センサ,温度センサおよび温度圧力センサ装置を提供すること。【構成】 Si基板1を部分的に薄肉状に形成して支持部3とし、この支持部3を介してSi基板1に連結して圧力により変位する可動部2上に電子放出部たるエミッタ電極4およびゲート電極5を形成すると共に、厚肉部9上に電子吸収部たるアノード電極6を形成したので、可動部2が圧力により変位すると、これに倣ってアノード電極6に吸収される放出電子15の量が減少し、出力されるアノード電流も減少するため、その変化率から加速度を測定することができる。
Claim (excerpt)：
加えられた力又は加速度により変位可能な可動部を備える基体と、この基体の表面側に形成され、印加された電位によって電子を放出する陰極を備える冷電子放出部、およびこの陰極から放出された電子を捕獲する陽極を備える電子吸収部と、前記可動部の変位に基づいて前記陰極から放出された電子に対する前記陽極の電子捕獲効率を制御する制御手段と、を有することを特徴とする力センサ。
IPC (3)：
G01L 1/00
, G01K 5/28
, G01P 15/08
