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J-GLOBAL ID：200903018024997130

KTiOPO4 単結晶の製造方法

Inventor： 羽生 和隆 ,  渡部 浩司 ,  岡本 勉 ,  阿蘇 興一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992285212
Publication number (International publication number)：1994116091
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 分極のシングルドメイン化が可能で、非線形光学材料としてのSHGの効率が高く高品質なKTP単結晶の作製が可能な製造方法を提供する。【構成】 TSSG法に従ってKTP単結晶の育成を行う際、種結晶を導電性の保持部材により保持し、融液を導電性の坩堝に配し、直流または交流電流を融液を介して種結晶に流す。直流電流を流す際には、種結晶側を正電極とし、融液側を負電極として種結晶に流れる直流電流密度Dが2.5≦D≦25(mA/cm2 )となるようにする。交流電流を流す際には、種結晶に流れる交流電流密度Aが7.5≦A≦67.5(mA/cm2 )となるようにし、また交流電流の周波数が0.01〜200Hzとなるようにしても良い。

Claim (excerpt)：

融剤を含む融液に種結晶を接触せしめて徐冷し、種結晶に結晶を育成させるKTiOPO4 単結晶の製造方法において、結晶の育成時、上記融液を介して上記種結晶に電流を流すことを特徴とするKTiOPO4 単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/14 ,  G02F 1/35 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-124084
  
• 特開昭51-149597
  
• 特開平3-037194