Pat

J-GLOBAL ID：200903018028815460

化合物半導体装置

Inventor： 賤機 弘憲 ,  柏崎 綾子
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994244793
Publication number (International publication number)：1996083815
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、(A)(a )エポキシ樹脂、(b )フェノール樹脂系硬化剤、(c )次の一般式(1)又は(2)で示されるスルホニウム塩からなる変性樹脂、(B)絶縁性充填材および(C)溶剤、モノマー又はこれらの混合物を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなる化合物半導体装置である。【効果】 本発明の化合物半導体装置は、接着強度、耐湿性に優れた絶縁性ペーストを用いたことによって、反りが少なく、アルミニウム電極の腐食による断線不良等がなく信頼性の高いものである。また、本発明に用いる絶縁性ペーストは低温硬化、高速硬化が可能である。

Claim (excerpt)：

(A)(a )エポキシ樹脂、(b )フェノール樹脂系硬化剤、および(c )次の一般式(1)又は(2)で示されるスルホニウム塩【化1】からなる変性樹脂、(B)絶縁性充填材および(C)溶剤、モノマー又はこれらの混合物を必須成分とする絶縁性ペーストを用いて、化合物半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/52 ,  C08G 59/62 NJS ,  C08G 59/68 NKL ,  C09J163/00 JFL