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J-GLOBAL ID：200903018033544482

半導体製造装置

Inventor： 細田 忠嗣
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 桑井 清一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040322
Publication number (International publication number)：1993217914
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は減圧下においてガスにより基板上の半導体を形成、または加工する多数枚処理半導体製造装置において、ガスを基板上に均一に吹き付け、半導体を形成または加工を均一に行うことである。【構成】 ガス吹き出し板4内に中心軸を回転モーター7により任意に回転させている多孔状の孔の開いたガス整流板6を設け、ガス導入口8より導入されたガスを均一に広げ、ガス吹き出し口5より均一に吹き出させる。【効果】 ガスがガス吹き出し口より均一に吹き出るため、基板上に均一にガスが広がり半導体の形成、または加工が均一に行うことができる。

Claim (excerpt)：

減圧下において半導体基板表面に多孔状に穴の開いたガス吹き出し板よりガスを供給し、半導体を形成する多数枚処理半導体製造装置において前記ガス吹き出し板内に回転する多孔状の穴の開いたガス整流板を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/302