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J-GLOBAL ID：200903018034845079

サージ吸収素子

Inventor：
河西 良人

About 河西 良人


Applicant, Patent owner：
岡谷電機産業株式会社

About 岡谷電機産業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996132728
Publication number (International publication number)：1997298833
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【目的】 静電容量を可能な限り低減できると共に、単体でも動作電圧を比較的高い値に設定可能であり、シリコンサージアブソーバに勝るとも劣らない優れた応答性能を備えたサージ吸収素子を実現する。【構成】 蓋部材14と、一面に多数のエミッタ・コーン20を一体形成したn形半導体より成る基板部材12とを、エミッタ・コーン20の先端部20aと蓋部材14の内面とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両部材の周縁を封着材16を介して気密封止して外囲器18を形成し、外囲器18内を高真空状態と成すと共に、基板部材12及び蓋部材14の外面に、第1の電極層24及び第2の電極層26をそれぞれ形成した第1のサージ吸収素子10。
Claim (excerpt)：
蓋部材と、一面に多数のエミッタを一体形成したn形半導体より成る基板部材とを、上記エミッタの先端部と蓋部材の一面とが所定の距離を隔てて対向するように配置し、両部材の周縁を封着材を介して気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を真空状態と成すと共に、上記蓋部材及び基板部材の外面にそれぞれ電極を形成したことを特徴とするサージ吸収素子。
IPC (2)：
H02H 9/04 ,  H02H 7/20
FI (2)：
H02H 9/04 A ,  H02H 7/20 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-230101
  • 特開平4-230101
  • 入力保護回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-009287   Applicant：住友電気工業株式会社
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