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J-GLOBAL ID：200903018059956568

表面波デバイスの製造方法

Inventor： 安井 秀明 ,  塩川 晃 ,  小寺 宏一 ,  向井 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316286
Publication number (International publication number)：1995170140
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 所定の周波数特性を有する表面波デバイスを高い良品率で製造する方法を提供することを目的とする。【構成】 圧電体基板1上に櫛形電極を設けて構成される表面波デバイスの製造方法において、圧電体基板1上に櫛形電極を形成する工程を経た後、表面波デバイスの周波数特性を探針5と周波数特性検知装置7により検知する工程と、ドライエッチング室9においてエッチング処理により櫛形電極の表面を除去加工する工程を同時に、あるいは時間差を有して行う工程を少なくとも備えた表面波デバイスの製造方法。【効果】 所定の周波数特性に制御できるため、高精度な表面波デバイスの良品率を大幅に向上することができる。

Claim (excerpt)：

圧電体基板上に櫛形電極を設けて構成される表面波デバイスの製造方法において、圧電体基板上に櫛形電極を形成する工程を経た後、表面波デバイスの周波数特性を検知する工程と、エッチング処理により櫛形電極の表面を除去加工する工程を同時に、あるいは時間差を有して少なくとも備えた表面波デバイスの製造方法。