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J-GLOBAL ID：200903018077645820
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000108497
Publication number (International publication number)：2000357663
Application date： Apr. 10, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を歩留まり良く、かつ再現性良く製造できるIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 まず、基板11上に、第1のIII族窒化物系化合物半導体からなり、段差13cを備える第1の半導体膜13を形成する(図1(b))。その後、第1のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第2のIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体膜14aを形成する(図1(c))。その後、基板11を冷却し、第2の半導体膜14aを第1の半導体膜13から分離してIII族窒化物系化合物半導体基板14を得る。
Claim (excerpt)：
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法であって、(a)基板上に、第1のIII族窒化物系化合物半導体からなり段差を備える第1の半導体膜を形成する工程と、(b)前記第1の半導体膜上に、前記第1のIII族窒化物系化合物半導体とは異なる熱膨張係数を有する第2のIII族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体膜を形成する工程と、(c)前記基板を冷却し、前記第2の半導体膜を前記第1の半導体膜から分離する工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/205
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
Cited by applicant (3)
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特開昭56-059700
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GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-242967
Applicant：三菱電線工業株式会社
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結晶体の引上げ方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-102966
Applicant：コマツ電子金属株式会社
Cited by examiner (1)
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