半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117698
Publication number (International publication number)：1993315325
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高精度の微細パターンを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明では、基板表面に層間絶縁膜を形成するに際し、DRAMの非メモリセル領域のような段差の下領域に選択的にレベル合わせ用の第1の絶縁膜を形成するとともに、さらに表面全体を覆うように第2の絶縁膜を形成するようにしている。

Claim (excerpt)：

段差を有する半導体基板表面に層間絶縁膜を形成するに際し、前記半導体基板表面全体に第1の層間絶縁膜を形成する第1の層間絶縁膜形成工程と、前記第1の層間絶縁膜をパターニングし段差の下部領域に選択的にレベル合わせ用の第1の層間絶縁膜を残留せしめる第1のエッチング工程とこの上層に、さらに前記基板表面全体を覆うように第2の層間絶縁膜を形成する第2の層間絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 27/10 325 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-082263
特開平3-296216
特開平4-116918

Show all

Return to Previous Page