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J-GLOBAL ID：200903018085185855

化学気相堆積装置

Inventor： 柏原 慶一朗
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002001537
Publication number (International publication number)：2003201566
Application date： Jan. 08, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板上に、膜厚および膜質が均一な膜を堆積させることが出来るCVD装置(化学気相堆積装置)を提供することを目的とする。【解決手段】 リアクタチャンバの反応室を基板が配置される第一の空間と、原料ガスがはじめに供給され、貯気室として利用される第二の空間とに分割する隔壁を設けられ、前記隔壁には、前記原料ガスが前記第一の空間内の基板上に均一に供給されるべく、多数の孔が穿設されている。

Claim (excerpt)：

基板上に膜を形成させる化学気相堆積装置において、前記基板が配置される反応室と、前記反応室を、前記基板が配置される第一の空間と前記基板が配置されない第二の空間とに分割する隔壁と、前記隔壁に穿設される多数の孔と、前記第二の空間内に原料ガスを供給するためのガス供給路とを、備えることを特徴とする化学気相堆積装置。

IPC (2)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205

F-Term (11)：

4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4K030FA10 ,  4K030KA12 ,  5F045AA04 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14