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J-GLOBAL ID：200903018085566395
単結晶引き上げ時における単結晶酸素濃度の制御方法及び該方法に使用する結晶成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096386
Publication number (International publication number)：1994056571
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：
【要約】【構成】 溶融液12が充填された坩堝11及び坩堝11の周囲に配設されたヒータ15等を備え、坩堝11と引き上げられた単結晶14との間に、単結晶14を取り囲むように逆円錐台形状の本体部31aが位置し、坩堝11内の溶融液12面の上方近傍にその下端部31bが位置する熱遮蔽治具31が配設された結晶装置を用いて単結晶14を成長させる際、熱遮蔽治具31の下端部31bと溶融液12面とのギャップ(Z)を10〜40mmの間で変更させることを特徴とする単結晶引き上げ時における単結晶酸素濃度の制御方法。【効果】 熱遮蔽治具31の上方から溶融液12面に供給されたArガスによる溶融液12面の冷却及び坩堝11から溶融液12面に放射される熱の遮蔽程度を正確に制御することができ、その結果溶融液12中にある酸素の拡散蒸発が制御され、単結晶14への酸素供給量を制御することができる。したがって、結晶の成長軸方向に均一で、かつ使用目的に応じて単結晶中の酸素濃度を容易に調整することができる。
Claim (excerpt)：
溶融液が充填された坩堝及び該坩堝の周囲に配設されたヒータ等を備え、前記坩堝と引き上げられた単結晶との間に、該単結晶を取り囲むように逆円錐台形状あるいは円筒形状の本体部が位置し、前記坩堝内の溶融液面の上方近傍にその下端部が位置する熱遮蔽治具が配設された結晶成長装置を用いて単結晶を成長させる際、前記熱遮蔽治具の下端部と溶融液面とのギャップを10〜40mmの間で変更させることを特徴とする単結晶引き上げ時における単結晶酸素濃度の制御方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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