Pat
J-GLOBAL ID：200903018096859521

半導体受光素子

Inventor：
工原 美樹

About 工原 美樹

, 
猪口 康博

About 猪口 康博


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000232832
Publication number (International publication number)：2002050785
Application date： Aug. 01, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 二つの波長λ2、λ1(λ2>λ1)を用いる光送受信系における長波長λ2を感受する裏面入射型のPDにおいて、λ1とのクロストークを低減したPD構造を与える。【解決手段】λ1とλ2の中間のバンドギャップ波長λgを有する材料を受光層として設け、受光層の上にλ2を吸収する吸収層を設け、一旦受光層を通ったλ2が再び受光層を通らないようにしている。
Claim (excerpt)：
長波長光λ2と短波長光λ1を含む光を受けて短波長光λ1を検知すべき裏面入射型の半導体受光素子であって、半導体基板とこの上に設けられpn接合を有する受光層と、受光層の上面に設けられるキャップ層と、半導体基板の底面に設けた開口を有する第1電極と、受光層の上方に設けた開口を有する第2電極を含み、光は裏面から表面へ透過できるよう両面が開口部を有し、受光層がλ1より長くλ2より短い吸収端波長(バンドギャップ波長)λgを持つ半導体材料からなり、受光層の上部にはλ2光を吸収する材料からなるλ2吸収層を設けたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (3)：
H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232
FI (3)：
G02B 6/42 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C
F-Term (28)：
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA40 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049QA03 ,  5F049QA06 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ01 ,  5F049TA14 ,  5F049WA01 ,  5F088AA02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BA03 ,  5F088CB04 ,  5F088GA05 ,  5F088HA01 ,  5F088JA14 ,  5F088LA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 特開平2-188971
  • 特開昭50-144395
  • 特開昭56-024969
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM