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J-GLOBAL ID：200903018108787629

半導体レーザ素子

Inventor： 築地 直樹
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172447
Publication number (International publication number)：1995007221
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 素子の寿命を向上させた半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板7上に、活性層1、Au合金からなる電極2を順次積層した半導体レーザ素子において、前記電極2を活性層1の発光部直上を避けて形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、活性層、Au合金からなる電極を積層した半導体レーザ素子において、前記電極を活性層の発光部直上を避けて形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。