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J-GLOBAL ID：200903018122109110

窒化物系半導体レーザ素子

Inventor：
畑 雅幸

About 畑 雅幸

, 
野村 康彦

About 野村 康彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002063164
Publication number (International publication number)：2003264346
Application date： Mar. 08, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】不純物元素が深く導入されるのを抑制することにより製造歩留まりを向上することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、MQW発光層4と、MQW発光層4上に形成され、Al0.08Ga0.92Nからなるp型クラッド層5と、p型クラッド層5上に形成され、In0.05Ga0.95Nからなるp型コンタクト層7と、p型クラッド層5およびp型コンタクト層7の電流通過領域9以外の領域の少なくとも一部に、不純物元素を導入することにより形成された不純物注入層8とを備えている。
Claim (excerpt)：
発光層と、前記発光層上に形成され、Alを含有する第1窒化物系半導体層を含む第1導電型のクラッド層と、前記クラッド層上に形成され、Inを含有する第2窒化物系半導体層を含む第1導電型のコンタクト層と、前記クラッド層および前記コンタクト層の電流通過領域以外の領域の少なくとも一部に、不純物元素を導入することにより形成された不純物導入層とを備えた、窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 610 ,  H01S 5/22 610
FI (2)：
H01S 5/323 610 ,  H01S 5/22 610
F-Term (8)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA14 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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