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J-GLOBAL ID：200903018135017908

強誘電性液晶素子

Inventor： 江口 健
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237211
Publication number (International publication number)：1995064098
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 2値状態間のコントラスト比を向上し、スイッチング過程おける残像現象やヒステリシスを解消したFLC素子を提供する。【構成】 配向制御膜を光学的バンドギャップEgopt の異なる少なくとも2種類以上の導電性高分子層を積層して構成し、液晶側の導電性高分子のEgopt が下層の導電性高分子層のEgopt よりも大きく且つFLCの自発分極の大きさが10nC/cm2 以上であるFLC素子とする。

Claim (excerpt)：

それぞれに電極と配向制御膜を有する一対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子であって、上記配向制御膜が光学的バンドギャップEgopt の異なる少なくとも2種類以上の導電性高分子層を積層してなることを特徴とする強誘電性液晶素子。

IPC (4)：

G02F 1/1337 510 ,  C08F 34/00 MNW ,  C08G 73/00 NTB ,  C08G 61/12 NLJ