Pat
J-GLOBAL ID：200903018143939270
硬質炭素薄膜形成装置およびその形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035056
Publication number (International publication number)：1994247791
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 膜質の均質化を図る。【構成】 1は基板、2は基板を配置する基板ホルダー兼高周波電極、3は反応槽、4は排気口、5は添加ガス導入口、6は高周波電源、7は接地電極である。9は供給電力制御装置、10はバイアス電圧制御装置、11はバイアス電圧および供給電力可変型高周波電源である。そして、高周波電極側のバイアス電圧を測定するバイアス電圧計測装置8が、供給電力制御装置9およびバイアス電圧制御装置10に接続されている。
Claim (excerpt)：
原料ガスをプラズマ放電により分解し、反応槽内の電極間の基板上に硬質炭素膜を堆積させる硬質炭素薄膜形成装置において、プラズマ放電に必要なバイアス電圧および電力を可変可能に供給する高周波電源と、この高周波電源のバイアス電圧および電力を制御するバイアス電圧制御装置および供給電力制御装置と、電極に生じるバイアス電圧を計測して前記バイアス電圧制御装置および供給電力制御装置に計測結果を送出するバイアス電圧計測装置とで構成されたことを特徴とする硬質炭素薄膜形成装置。
IPC (3)：
C30B 29/04
, C23C 16/50
, C30B 25/02
