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J-GLOBAL ID：200903018150622630

プラズマエッチング装置およびこれを用いたエッチングの方法

Inventor：
本間 孝治

About 本間 孝治


Applicant, Patent owner：
株式会社ケミトロニクス

About 株式会社ケミトロニクス


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338380
Publication number (International publication number)：2000133639
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】LSI等の高密度化に伴い、発生する熱が多くなりデバイスは高温になる傾向にある。デバイス裏面のシリコン層を薄くし熱伝導を向上させることで、放熱効果を高め、温度の上昇を押さえる必要がある。従来の加工法は研磨、研削による機械加工のため破損しやすく加工変質層が形成され易い。そのために半導体ウェーハのデバイス裏面を品質が良くまた低コストでできるプラズマエッチング装置とその方法を提供する。【解決手段】本発明では、ハロゲン化合物ガスと水素などの混合ガスに高周波あるいはマイクロ波でプラズマを発生させ、活性種ガスを供給管で局部的に導いてSiウェーハを移動させ裏面をウェーハ構成材料と気相化学反応によってエッチングする。エッチング時の温度上昇に対して局部的に冷却し活性種ガスの回り込みに対して不活性ガスを流して防止する構造とした。【効果】本装置構成により、エッチングレートが高まり、低コストで加工できるようになった。水素ガスの添加により加工面を鏡面にすることが出来た。
Claim (excerpt)：
エッチング装置においてハロゲン化合物ガスまたはハロゲン化合物ガスを含む混合ガスに交流電磁場を印可してプラズマを発生させるプラズマ室と該プラズマ室で発生した活性種ガスを活性種ガス供給管を通して導いてこれによってウェーハの裏面をエッチングするエッチング室とウェーハをエッチング室に輸送する搬送機構と、該プラズマ室とエッチング室を排気する排気装置を具備し、排気されたガスを処理する除害設備を有するプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 A
F-Term (20)：
5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BD07 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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