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J-GLOBAL ID：200903018168313332
液晶表示装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198227
Publication number (International publication number)：1994043487
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】画素電極の形成方法を含むTFTアクティブマトリクス駆動液晶表示装置に関し、点欠陥の発生を低減し、かつコントラストの向上を図ることができるTFTアクティブマトリクス駆動液晶表示装置の提供を目的とする。【構成】透明基板21上のゲート電極22と、ゲート電極22を被覆するゲート絶縁膜23と、ゲート電極22上方の領域を含む領域のゲート絶縁膜23上の動作半導体層24aと、動作半導体層24a上のチャネル保護膜25と、チャネル保護膜25を挟んで両側の動作半導体層24aと接続するソース電極及びドレイン電極となる導電体膜33a,33bと、ソース電極となる導電体膜33a上、及びソース電極の形成領域41に隣接し、画素電極の形成領域46を含む隣接領域42のゲート絶縁膜23上の透光性導電体膜30aと、ソース電極の形成領域41と隣接領域42とを両方含む境界部領域43を被覆するように形成された、透光性導電体膜30a上の遮光性導電体膜31cとを含み構成する。
Claim (excerpt)：
透明基板と、該透明基板上のゲート電極と、該ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上方の領域を含む領域のゲート絶縁膜上の動作半導体層と、該動作半導体層上のチャネル保護膜と、該チャネル保護膜を挟んで両側の前記動作半導体層と接続するソース電極及びドレイン電極となる導電体膜と、前記ソース電極となる導電体膜上、及び該ソース電極の形成領域に隣接し、画素電極の形成領域を含む隣接領域の前記ゲート絶縁膜上の透光性導電体膜と、前記ソース電極の形成領域と前記隣接領域とを両方含む境界部領域を被覆するように形成された、前記透光性導電体膜上の遮光性導電体膜とを有する液晶表示装置。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
