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J-GLOBAL ID：200903018168387654
バンプの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997126647
Publication number (International publication number)：1998321630
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 アルミパッドに断線の原因となる欠けが生じるのを解消できるバンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チップ1のアルミパッド2上にワイヤバンプ3を形成した後、チップ1の表面に保護膜7をコーティングする。次にプラズマエッチングによりワイヤバンプ3の上面上の保護膜7を除去し、この上面上にハンダバンプ4を形成する。ワイヤバンプ3の側部に露呈するアルミパッド2は保護膜7で保護されているので、ハンダバンプ4を形成する際に用いられるフラックスに接触して腐食し、欠けを生じることはない。
Claim (excerpt)：
チップの表面に形成されたアルミパッド上にワイヤバンプを形成する工程と、アルミパッドとワイヤバンプの表面を含むチップの表面に保護膜を形成する工程と、ワイヤバンプの上面上の保護膜をエッチングにより除去する工程と、保護膜が除去されたワイヤバンプの上面上にハンダバンプを形成する工程と、を含むことを特徴とするバンプの形成方法。
FI (2)：
H01L 21/92 604 J
, H01L 21/92 602 E
