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J-GLOBAL ID:200903018188883224

アンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウム及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993077591
Publication number (International publication number):1994263445
Application date: Mar. 11, 1993
Publication date: Sep. 20, 1994
Summary:
【要約】【目的】 着色が少なくかつ光透過性を有し、その体積固有抵抗値が低く、しかもその体積固有抵抗値の経日劣化の防止された無機導電性材料及びその製造方法を提供する。【構成】 アンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウムにおいて、その組成が、MgxInySbzO4で表わされ、かつ、z/(x+y+z)の値が0.0005〜0.01の範囲にあり、(x+y+z)/xの値が2.5〜2.99の範囲にあることを特徴とするアンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウム。インジウム酸マグネシウム又はその前駆体とアンチモン化合物の混合物を高温焼成して、その組成が、MgxInySbzO4で表わされ、かつ、z/(x+y+z)の値が0.0005〜0.01の範囲にあり、(x+y+z)/xの値が2.5〜2.99の範囲にある焼成物を得る工程と、この焼成物を非酸化性雰囲気下において、600〜800°Cに焼成する工程からなるアンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウムの製造方法。
Claim (excerpt):
アンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウムにおいて、その組成が、MgxInySbzO4で表わされ、かつ、z/(x+y+z)の値が0.0005〜0.01の範囲にあり、(x+y+z)/xの値が2.5〜2.99の範囲にあることを特徴とするアンチモン含有導電性インジウム酸マグネシウム。
IPC (2):
C01G 30/00 ,  H01B 1/08

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